Блокинг-генераторы

Под блокинг-генератором понимают автоколебательную систему, генерирующую кратковременные прямоугольные импульсы с большой скважностью. По схемному построению он представляет собой однокаскадный усилитель с глубокой положительной обратной связью, осуществляемой импульсным трансформатором. Связь блокинг-генератора с нагрузкой обычно трансформаторная. Различают самовозбуждающиеся и ждущие блокинг-генераторы.[ …]

При включении источника питания Ек в коллекторной цепи транзистора появляется ток /к (рис. 23.11, в). С его ростом в обмотке обратной связи и>б индуктируется э. д. с., которая передается на базу транзистора, в результате чего понижается потенциал на базе (рис. 23.11, д). Это приводит к появлению и росту тока базы, дальнейшему увеличению коллекторного тока /к (рис.[ …]

В режиме насыщения рост тока в коллекторной цепи прекращается (момент ?2 на рис. 23.11, в), а положительная обратная связь в схеме нарушается. В этом режиме в транзисторе происходит рассасывание неосновных носителей зарядов (накопленных в базе), которое обусловливает процесс заряда конденсатора Се током базы. Длительность процесса заряда формирующего конденсатора Сб определяет вершину (скос) импульса (интервал —iз).[ …]

По мере заряда конденсатора число носителей в базе и ее ток уменьшаются. К некоторому моменту времени конденсатор зарядится до максимального напряжения исыакс (рис. 23.11, г), которое, будучи приложенным к базе транзистора, выводит его из режима насыщения. При этом начинает спадать ток базы /б ц уменьшается ток коллектора /к (интервал ?з—?4 на рис. 23.11, в). Изменения тока коллектора (по значению и знаку) приводят к появлению в базовой обмотке э. д. с. положительной полярности, которая еще больше способствует закрыванию транзистора. К некоторому моменту времени ?4 ток /к будет равен нулю, транзистор закроется, а потенциал на коллекторе достигнет напряжения источника— Ек (точка -М). На этом процесс формирования заднего фронта импульса закончится.[ …]

По окончании этих нестационарных процессов транзистор продолжает оставаться закрытым напряжением заряда конденсатора /смакс- С момента полного закрывания транзистора начинается разряд конденсатора через резистор Яб и обмотку обратной связи и>б. По мере разряда конденсатора напряжение на базе снижается (см. рис. 23.11, с?) и к некоторому моменту времени ?5 достигает потенциала открывания транзистора, при котором повторится процесс лавинообразного роста токов в цепях базы и коллектора.[ …]

Ждущие блокинг-генераторы. Ждущий режим блокинг-генера-тора обеспечивается подачей в цепь базы последовательно с резистором Яб положительного напряжения смещения ЕЭб (рис.[ …]

Рисунки к данной главе:

Схема несимметричного триггера на разноструктурных транзисторах

Схема и диаграммы самовозбуждающегося блокинг-генератора

Схема и диаграммы ждущего блокинг-генератора

Аналогичные главы в дргуих документах:

Вернуться к оглавлению

Добавить в ЗАКЛАДКИ